实验报告 · 10 | 基础讲解：flash理论知识讲解
课程：初级 | FPGA工程师基础启航（含板卡+证书） · 第三节 基础逻辑电路设计篇
发布自课程云笔记 · FPGA 实验证据骨架
【同步·课后作业】
【作业要求】
1、flash分为NOR flash、NAND flash，请简述两者的区别？
NOR Flash支持按字节随机读取，读取速度快，并且可以片上执行代码，但容量较小、成本较高，写入和擦除速度较慢；NAND Flash则是按页读取，随机访问慢，但容量大、成本低，写入和擦除速度快。
2、我们使用的FLASH的具体型号是W25Q32 ，其容量是 32M bit，支持的SPI最大的速率是208/416MHz，读写擦除次数可达100000，使用寿命 20年 ，工作电压3.3v 。
3、请说明flash的存储区域划分？
总容量为4096kByte，内部划分为块、扇区和页。共有64个块，每个块64KB；每个块16个扇区，每个扇区4KB，共有1024个扇区；每个扇区16个页，每个页256字节，共有16384个页。
【我的做法】
【结果/时序图/实验现象(可视频)】
【FPGA·实验证据】
【实验目标】
本节要验证什么？预期现象是什么？
【波形/截图】
用工具栏插入波形图、仿真界面或示波器照片
【仿真 log】
粘贴关键仿真输出或报错原文
【上板现象】
板卡现象、按键/数码管/接口实测结果
【结论与待改】
结论、坑点与下一步修改
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