工作三年,一直做CPU/SoC中传统数字模块的设计,感觉技术栈比较传统。最近看到很多AI芯片公司都在研究存算一体(Computing-in-Memory),说是能突破内存墙,感觉很前沿。如果想从传统数字IC设计转向存算一体芯片设计,需要提前补充哪些知识?是完全不同的领域吗?需要学习RRAM、MRAM这些新型存储器的器件原理吗?电路层面是不是要从数字转向模拟/混合信号?有没有一些入门的学习资源或开源项目可以参考?这个方向目前的就业机会和风险如何?
2026年,芯片行业‘存算一体’架构成为AI芯片热点,对于一名做传统冯·诺依曼架构数字IC设计的工程师,想转向这个前沿方向,需要提前学习哪些关于新型存储器(如RRAM)、模拟计算电路以及架构-电路协同设计的基础知识?
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作为过来人,我去年刚从数字后端转向存算一体团队。首先别慌,不是完全从零开始。你的数字设计经验在架构和系统层面依然宝贵。需要补充的核心知识有三块:一是新型存储器基础,RRAM/MRAM的器件物理和阵列特性,比如IV特性、耐久性、写能耗,这对理解计算原理至关重要。二是模拟/混合信号电路,重点是Sense Amplifier、DAC/ADC、电流镜、积分器这些,因为存算一体的乘加运算常在模拟域完成。三是架构-电路协同优化,学会在算法误差、电路非理想性、存储器缺陷之间做折衷。建议从论文入手,比如ISSCC/JSSC上清华大学、UCSB的存算一体教程,还有IEEE TCAS-I的专题。开源项目可以看MLCIM或SimCAM。就业上,初创公司和研究院机会多,但量产落地还在早期,有风险。

我目前在AI芯片公司做存算一体设计。你的数字背景其实很有用,因为存算一体芯片里仍然需要数字控制逻辑和接口。要转向的话,第一步建议先理解存算一体的核心思想:如何利用存储器阵列的物理特性(如欧姆定律、基尔霍夫定律)直接做模拟计算,从而减少数据搬运。不需要深入器件物理,但必须知道RRAM等非易失存储器的基本工作原理和阵列模型。电路方面,肯定要补模拟基础,推荐拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》,重点看放大器、电流镜、基准源。然后找一些存算一体架构的论文,看看他们怎么设计阵列、DAC、ADC和数字处理单元。资源方面,可以关注MIT、斯坦福相关课程的视频。风险在于这个方向还在研究向产业过渡的阶段,选择公司时注意其技术落地能力。

简单说下我的看法。从数字转存算一体,需要跨越数字-模拟的鸿沟,但不必成为器件专家。优先学习:1. 存算一体架构的基本分类(数字存算、模拟存算、混合),明白各自优劣。2. 模拟计算电路基础,尤其是DAC(数模转换)和ADC(模数转换),因为存算一体常涉及将数字权重映射到模拟 conductance,再将模拟结果转回数字。3. 新型存储器的阵列级行为模型,而不是器件物理细节,比如RRAM的conductance变化、噪声、漂移。学习资源推荐:Coursera上的“模拟集成电路设计”课程,论文看ISSCC 2020-2022的存算一体专题。开源工具有NeuroSim、MNSim 可以仿真存算一体阵列性能。就业机会在AI加速器公司、存储大厂(如三星、美光)的研究部门,风险是技术路线尚未统一,可能押错宝。

兄弟,你这问题问得很及时。存算一体确实是热点,但别被概念唬住,它和传统数字设计有延续性也有断层。你的核心痛点是知识断层,尤其是模拟和器件层面。我建议分三步走:第一,补模拟电路基础,特别是运放、比较器、电流镜这些,存算单元读写和模拟计算都靠它们。第二,理解新型存储器原理,RRAM/MRAM的物理机制、IV特性、可靠性问题,不用深究工艺,但要懂电路建模。第三,学习架构-电路协同,比如怎么用模拟电压/电流做乘加运算,怎么设计数据流。资源方面,可以看ISSCC/JSSC上存算一体论文,UC Berkeley的Simon Wong有相关课程。就业上,初创公司和研究院机会多,但量产还在早期,有风险。别怕,你的数字设计经验在系统集成和验证上依然宝贵。

同三年数字IC,去年刚转存算一体方向,分享点实在的。首先回答你:不完全不同,但需要大幅拓展技能栈。你不需要成为器件物理专家,但必须懂RRAM/MRAM的基本工作原理(如阻变机制、耐久性、波动性),因为电路设计要围绕这些特性展开。电路层面,必须学模拟/混合信号设计:从基础的单级放大器、带隙基准,到存算核心的模拟乘加器、ADC/DAC(尤其是低精度SAR或Flash型)。重点在于理解“模拟计算”怎么替代数字逻辑——比如用电流求和做加法,用欧姆定律做乘法。架构协同是关键:传统内存层次被打破,你要思考数据如何在存算阵列中流动、如何量化、如何纠错。入门资源:推荐清华大学刘勇攀老师的《存内计算芯片设计》公开课,还有arXiv上搜索“CIM”或“computing-in-memory”的综述。开源项目可以看看Google的MLPerf Tiny基准测试里的一些参考设计。就业机会目前集中在AI芯片初创公司、研究院所,但行业尚未成熟,风险是技术路线可能变化,建议先保持现有工作,业余学习并做个小项目(比如用Verilog-A模型仿真一个存算单元)。你的数字设计背景在系统集成和验证阶段非常有用,别丢了。

兄弟,你这个想法很对,存算一体确实是现在的一个热点,特别是针对AI这种数据搬运密集的应用。你做了三年传统数字设计,基础肯定没问题,但转向这个方向确实需要补不少课。核心变化在于,计算不再仅仅发生在ALU里,而是直接在存储数据的“内存”里完成,这就需要你对“内存”本身有全新的理解。
首先,基础知识方面,我建议分三层来补:
1. 器件层:你肯定要了解新型非易失存储器的原理,比如RRAM、PCM、MRAM。不用像器件物理博士那么深,但要明白它们的基本存储机制(比如RRAM是靠阻值变化)、读写特性、以及最关键的优势(非易失、模拟特性、可三维集成)和挑战(良率、一致性、耐久性)。这是存算一体的物理基础。
2. 电路层:这是你转型最大的挑战。存算一体核心的计算电路(比如用RRAM阵列做向量矩阵乘法)本质上是模拟/混合信号电路。你需要补充模拟电路基础知识,比如运算放大器、比较器、ADC/DAC(数模转换器/模数转换器)。因为计算结果是模拟量(如电流、电压),需要转换成数字信号。所以,学习模拟/混合信号IC设计是必须的。
3. 架构与协同设计层:这是发挥你数字设计优势的地方。你需要学习如何将这种新型的存算单元(比如一个RRAM交叉阵列)集成到系统里,设计其周边的数字控制电路、数据流调度、以及处理计算结果的数字后处理单元。关键是理解“架构-电路-器件”的协同优化,比如如何设计映射算法把神经网络权重映射到阵列上,如何设计电路来补偿器件的非理想特性。关于学习资源,可以先看一些综述论文,比如《Nature Electronics》或《Proceedings of the IEEE》上关于存算一体或新兴存储器的文章。课程方面,可以关注MIT、斯坦福等学校在edX或YouTube上相关的公开课。开源项目现在还不多,但可以关注一些大学实验室(比如清华、UCSD)发布的仿真工具或设计框架。
就业机会目前主要集中在顶尖高校的实验室、一些AI芯片初创公司以及大厂(如三星、英特尔)的前沿研究部门。风险在于这个技术离大规模商业化还有距离,很多是研究岗位。但提前布局学习,能让你在未来技术爆发时占据优势。建议不要完全放弃数字设计,而是尝试将新学的模拟/存算知识与你的数字系统设计经验结合,这样竞争力更强。

同是数字IC出身,看到你的问题很有共鸣。存算一体听起来高大上,但别被吓到,它并不是完全抛弃你过去的经验,而是需要你拓展技能边界。
你需要补充的知识,可以按“从用到理”来切入:
首先,直接去读几篇最新的存算一体芯片的论文(比如ISSCC、VLSI Symposium上的)。不要怕看不懂,目标是弄明白他们到底在做什么。你会发现,一个存算一体芯片系统里,除了核心的模拟存算阵列,周围仍然有大量的数字电路,比如控制器、激活函数处理、池化单元等。这部分是你的主场。然后,针对核心部分补课:
1. 模拟计算电路:这是关键。重点学习电流镜、跨导放大器等基础模拟模块,因为很多存算阵列利用基尔霍夫定律进行计算,输出的是电流信号。同时必须学习ADC,因为模拟计算结果最终要变回数字。可以从拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》前几章看起,结合实践理解。
2. 存储器知识:对于RRAM/MRAM,理解其I-V特性、多值(模拟)存储能力、以及非理想性(如随机性、漂移)对计算精度的影响至关重要。这比深究物理机制更实用。可以看一些器件建模的文献。
3. 系统级理解:学习神经网络的基础知识,明白向量矩阵乘法是如何在存算阵列中实现的。这能帮你理解架构设计。关于是否完全不同:并非如此。你的RTL设计、验证、时序分析经验依然宝贵。区别在于,你需要和模拟电路、器件工程师紧密合作,理解他们的约束。你需要学会用系统级的眼光,权衡计算精度、能效和面积。
入门资源:除了学术论文,Coursera上有些“AI硬件”或“内存计算”相关的课程可以看看。风险与机遇方面,目前这方向偏研究和前沿开发,岗位不如传统数字设计多,但竞争也相对小,且是未来重要趋势之一。建议可以在当前工作中,多关注公司内是否有相关项目,或者利用业余时间做一些小课题(比如用Verilog-A/AMS对存算单元进行行为级建模),逐步转型,这样更稳妥。

兄弟,你这问题问得很及时。存算一体确实是热点,但别被‘颠覆’吓到,你三年数字IC的经验不是白费的,反而是宝贵基础。核心转变在于思维模式:从‘存储与计算分离’转向‘在存储里直接计算’。
首先,基础知识补强可以分三步走:
第一步,理解新型存储器。RRAM、MRAM、PCM等,你不需要深究物理机制,但必须搞懂它们的电学特性:怎么读、怎么写、耐久性、速度、模拟态(多值)能力。重点理解它们如何作为‘可编程电阻’来用,这是实现模拟乘加运算的基础。推荐看几篇综述,比如《Nature Electronics》上关于存内计算的综述,先建立概念。
第二步,攻克模拟/混合信号电路。这是最大的知识缺口。你需要学的是:模拟电路基础(放大器、电流镜、开关电容)、数据转换器(ADC/DAC,尤其是存算一体里常用的低精度、高并行度的类型)、灵敏放大器(Sense Amplifier)的变体。不用像专业模拟工程师那么深,但要懂它们如何与存储阵列交互,实现模拟域的计算。建议找一本拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》选择性阅读,或者上Coursera的模拟电路课程。
第三步,学习架构-电路协同设计。这是你的用武之地!存算一体的性能、能效极度依赖于电路特性(如器件非理想性、噪声)和算法(如神经网络模型)的匹配。你需要学习如何为特定的算法(如CNN、Transformer)设计数据流、映射策略,并评估电路非理想性(如器件波动、IR drop)对系统精度的影响。这需要你结合之前的数字架构知识和新学的模拟电路知识。
入门资源:学术上,可以关注ISSCC、VLSI会议上存算一体的论文,尤其是架构类的。开源项目方面,可以看看清华大学的‘Thinker’系列、UCSB的‘PRIME’架构的相关资料。工业界,一些初创公司(如知存科技、九天睿芯)的技术分享也值得关注。
关于就业和风险:机会确实在增长,尤其是AI边缘计算芯片领域。但岗位目前更偏向有相关项目经验的研究型人才。风险在于技术路线尚未完全统一(数字存算一体也在发展),且大规模商用还需时间。建议你先以‘数字架构工程师’的身份切入相关团队,在项目中边做边学,比直接硬转模拟电路更稳妥。

同是数字背景转过来,分享点实在的。感觉最大的不同不是知识,而是‘设计对象’变了。以前设计的是确定性的逻辑门和寄存器,现在要面对非理想的模拟器件和信号。
你需要补充的知识清单:
1. 器件层面:必须学!但重点不是半导体物理,而是‘宏模型’。也就是用电路仿真工具(如Spectre)能用的模型,去理解RRAM等器件的IV特性、开关动力学、可变电阻范围。知道这些参数如何影响计算精度和可靠性。找几篇器件建模的论文看看。
2. 电路层面:是的,必须接触模拟/混合信号。但别怕,数字IC里学的时序、面积、功耗分析思想完全适用,只是变量变成了电压、电流的连续值。重点学习:
存算一体基本单元:比如1T1R阵列,怎么用字线、位线控制进行并行模拟点乘。
读出电路:这是核心!怎么把模拟计算的结果(通常是电流或电压)高能效、高精度地量化出来。涉及模拟前端和ADC。
外围数字电路:你老本行!控制逻辑、数据缓冲、纠错编码,这些仍然重要,而且需要和模拟部分紧密配合。
3. 系统与工具层面:学习用新的工具链做评估。比如,用MATLAB/Python搭建从算法到电路非理想性的联合仿真平台,评估系统级精度损失。这是架构-电路协同设计的关键技能。完全不同的领域吗?可以说是‘交叉领域’。数字设计是基石,模拟电路是新工具,算法是服务目标。你不需要成为模拟专家,但要能和模拟工程师高效沟通,并主导架构设计。
学习建议:动手最快。可以在网上找一些用CMOS模拟开关和电容实现向量-矩阵乘法(VMM)的简单电路,用Cadence Virtuoso或开源工具学着自己仿真。再尝试用Verilog-A/AMS给一个理想的RRAM器件建模,和数字控制电路做混合仿真。这个过程能串起大部分知识点。
就业上,现在很多公司都在布局,但实际流片项目还是少数。机会伴随着不确定性。建议保持现有数字设计的深度,同时拓宽存算一体的知识广度,把它作为一个有潜力的专项技能来培养,这样进退更自如。

作为过来人,我去年刚从数字设计转到存算一体团队,分享下我的学习路径。首先明确,存算一体不是完全不同的领域,而是数字、模拟、器件、架构的深度交叉。你的数字设计经验非常宝贵,尤其是对计算和数据流理解,这是基础。需要补充的知识分三块:一是新型存储器原理,RRAM/MRAM的器件物理和电学特性(IV曲线、耐久性、 variability)必须懂,否则无法参与设计。二是模拟/混合信号电路基础,重点是Sense Amplifier、DAC/ADC、电流镜、积分器这些,因为存算一体的乘加运算常在模拟域完成。三是架构-电路协同优化,学习如何根据存储器非理想特性(如器件变异、噪声)设计容错算法和电路。入门资源推荐:UC Berkeley的Sayeh Moradi教授课程视频,还有IEEE TCAS-I、JSSC上近三年的存算一体论文。可以先从数字存内计算(digital CIM)项目入手,比如用SRAM做bitcell计算,对数字工程师更友好。就业上,大厂和初创都在招,但岗位比传统数字少,需要你主动展示跨领域学习能力。风险是技术路线尚未统一,选错细分方向可能面临调整。
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